芯同乐 7天前 深圳
【Littelfuse首款新型TPSMB非对称#TVS二极管# 为汽车#SiC MOSFET# 提供卓越的#栅极驱动器# 保护】这是首款上市的非对称瞬态电压抑制(TVS)二极管,专门用于保护汽车应用中的碳化硅(SiC)MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求,提供一种结构紧凑的 ...全文
芯同乐 7天前 深圳
【Littelfuse首款新型TPSMB非对称#TVS二极管# 为汽车#SiC MOSFET# 提供卓越的#栅极驱动器# 保护】这是首款上市的非对称瞬态电压抑制(TVS)二极管,专门用于保护汽车应用中的碳化硅(SiC)MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求,提供一种结构紧凑的 ...全文
芝能-芯芯 165天前 上海
#SiC MOSFET 性能分析新进展# SiC MOSFET 已成为电力电子领域的关键器件啦!凭借卓越性能,正推动着电动汽车等众多应用的变革。1200V SiC MOSFET 表现尤为出色,Yole Group 还预测到 2029 年,SiC 器件市场规模将高达 100 亿美元👏。 在相同测试条件下,对来自全球制造商的五款 1200V 级分立 SiC MO ...全文
集微网官方微博 234天前 南京
【#面向主驱应用,芯塔电子正式发布1200V/14mΩ SiC MOSFET# 】 近日,#芯塔电子# 正式推出新品1200V/14mΩ SiC MOSFET,主要应用于电动汽车主驱功率模块。此举使得芯塔电子跻身为国内极少数可批量提供大电流低导通电阻SiC MOSFET产品的碳化硅器件厂商之一。面向主驱应用,芯塔电子正式发布1200V/14mΩ SiC MOSFET
电子创新元件网 725天前 深圳
【#碳化硅# MOSFET尖峰的抑制】#SiC MOSFET# 作为第三代#宽禁带半导体# 具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大🔗
电子创新元件网 811天前 深圳
【#SiC MOSFET# AC BTI 可靠性研究】在#功率器件# 半导体领域,越来越需要高频高功率耐高温的功率器件,随着时间发展,硅材料在功率器件领域已经达到了材料性能的极限🔗
电子创新元件网 841天前 深圳
【测量#SiC MOSFET# 栅-源电压时的注意事项:一般测量方法】SiC MOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET🔗
Coupe2011 1516天前
#SiC MOSFET# BT1M075