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#美国AOS#

  • 东莞建盟化学 355天前 东莞

    美国AOS万代MOSFETs是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型”的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。#万代半导体# #美国AOS# 电子元器件#MOSFETs# 东莞#itc万科中心# ...全文

  • 东莞建盟化学 356天前 东莞

    美国AOS万代IGBTs绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。#美国AOS# #万代半导体# 电子元器件#IGBTS# 东莞#itc万科中心# 🔗

  • 东莞建盟化学 357天前 东莞

    美国AOS万代智能功率模块IPM内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路,使用起来方便,不仅减小了系统的体积以及开发时间,也大大增强了系统的可靠性,适应了当今功率器件的发展方向——模块化、复合化和功率集成电路(PIC),在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。#美国AOS# #万代半导体# #电子元器件[超话] ...全文

  • 东莞建盟化学 360天前 东莞

    美国AOS万代瞬态电压抑制二极管TVS具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流 器、家用电器、仪器仪表。#美国AOS# #万代半导体# #二极管# 电子元器件#广东东莞# ...全文

  • 东莞建盟化学 361天前 东莞

    美国AOS万代wide-bandgap(SiC/GaN)宽禁带半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的重要元件在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域。#美国AOS # 万代半导体## SiC## GaN## 电子元器件## 东莞[超话]## 茶嫁啡咖啡店(ITC万科中心店)[地点]# ...全文

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